RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3413
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link