RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3463
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link