RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2690
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link