RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
27
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
19
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3499
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link