RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2545
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link