RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2631
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link