RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
40
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
40
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2362
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link