RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
61
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
61
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2671
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link