RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston XN205T-HYD2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3773
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link