RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
50
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
50
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2248
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link