RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2740
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C11 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link