RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
27
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
20
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3127
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link