RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3419
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link