RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
47
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2308
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link