RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2987
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link