RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3649
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link