RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
68
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
68
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
1812
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link