RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3491
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link