RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2199
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link