RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
4046
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link