RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2575
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link