RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2489
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link