RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
40
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
40
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3028
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link