RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
63
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
63
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
1932
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link