RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
27
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
19
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3397
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link