RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
79
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
79
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1850
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link