RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2847
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link