RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
42
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
18
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3704
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link