RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3337
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link