RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3168
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link