RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3449
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBSR 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link