RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3072
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link