RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2408
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link