RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3317
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston 9905403-096.A01LF 2GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link