RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3402
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link