RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3465
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link