RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
72
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
72
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1728
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link