RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2890
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link