RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2841
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link