RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3332
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link