RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
24.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
4001
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link