RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
4060
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link