RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2929
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link