RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3085
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link