RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
42
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
21
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3380
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link