RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2962
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link