RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3694
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link