RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3998
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link