RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
23.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
4208
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 9905474-012.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link