RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2951
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link